Alors que le marché des mémoires DRAM est bousculé par les évolutions technologiques et les nouveaux besoins de performances et de disponibilité induits par L’IA et l’entraînement des modèles, des facteurs externes viennent de remettre en cause les prévisions antérieures.
Selon les chiffres publiés par Trendforce, la hausse saisonnière des prix contractuels de la DRAM allait suivre un cours prévisible de 3 à 8 %. Mais cela était avant le tremblement de terre à Taïwan du 4 mars dernier. Le marché voguait sur une tendance à la hausse modérée, influencée par une demande soutenue, mais en ralentissement.
Depuis, les prévisions ont été invalidées par le tremblement de terre et les craintes de ralentissement de la production. TrendForce estime que les prix contractuels des DRAM pour le deuxième trimestre devraient augmenter de 13 à 18 % et ceux des mémoires flash NAND de 15 à 20 %.
Dans un environnement où le marché est marqué par des tendances qui soutiennent la demande et influencent les prix, l’essor des applications d’intelligence artificielle et l’augmentation des capacités des centres de données stimulent fortement la demande en DRAM. Les serveurs d’inférence et l’entraînement des modèles nécessitent des capacités de mémoire élevées pour traiter des volumes de données massifs.
Décollage imminent des mémoires HBM
De plus, la nouvelle génération de mémoire DDR5 commence à remplacer la DDR4, offrant des performances améliorées, une bande passante accrue et une meilleure efficacité énergétique. La transition vers la DDR5 entraîne une demande accrue pour ces modules de mémoire, même si les prix restent relativement élevés pendant la période initiale de leur adoption. Ceci est concomitant au décollage en production de mémoires HBM (HightBandwidth Memory).La technologie HBM est conçue pour fournir une bande passante élevée par rapport aux mémoires traditionnelles. Une de ses caractéristiques est son architecture d’empilement vertical, où plusieurs couches de puces DRAM sont superposées et interconnectées par des TSV (Through-Silicon Vias), des vias traversant le silicium qui permettent des connexions rapides et efficaces entre les différentes couches. HBM est utilisé principalement dans les infrastructures et les produits proposant des performances élevées, telles que les cartes graphiques, les supercalculateurs et les serveurs d’intelligence artificielle.
D’ailleurs, TrendForce prévoit que la demande pour la technologie HBM devrait provoquer une pénurie de mémoires DRAM au second semestre de 2024. « Les géants de la mémoire, Samsung, SK Hynix et Micron, investissent activement dans la production de mémoire à large bande passante (HBM). Des sources de l’industrie citées dans un rapport du Commercial Times indiquent qu’en raison des effets de surcapacité, les produits DRAM pourraient connaître des pénuries au cours du second semestre de l’année. »
La production de HBM sera priorisée pour sa rentabilité…
Selon TrendForce, les trois plus grands fournisseurs de DRAM augmentent leur production de tranches pour les procédés avancés. Par suite d’une augmentation des prix contractuels de la mémoire, les entreprises ont intensifié leurs investissements en capital, ce qui devrait se concrétiser par l’expansion des capacités sur le second semestre de cette année. Il est prévu que la production de tranches pour les procédés de 1alpha nm et au-delà représente environ 40 % de la production totale de tranches DRAM d’ici la fin de l’année.En clair, la production de HBM sera priorisée en raison de sa rentabilité et de la demande croissante de modules HBM. Concernant les derniers développements de la HBM, TrendForce indique que la HBM3e deviendra la norme du marché cette année, avec des expéditions concentrées dans la seconde moitié de l’année.
Concernant les DRAM, avant le tremblement de terre du 4/03, TrendForce avait initialement prévu que les prix contractuels de la DRAM augmenteraient de manière saisonnière de 3 à 8 % et ceux de la mémoire Flash NAND de 13 à 18 %, ralentissant considérablement par rapport au premier trimestre.
C’est ce qu’indiquaient les indicateurs des prix au comptant, qui montraient un affaiblissement de la dynamique des prix et une réduction des volumes de transactions. Cela était principalement dû à une demande atone en dehors des applications d’IA, les ordinateurs portables et les smartphones en particulier.
… et atteindre 60 % des capacités de production en 2024
De fait, les niveaux de stocks augmentaient progressivement, notamment parmi les fabricants d’ordinateurs OEM. De plus, avec les prix de la DRAM et de la mémoire Flash NAND en hausse depuis 2 à 3 trimestres consécutifs, la réticence des acheteurs face à l’augmentation de prix substantielle a agi comme un frein.Après le tremblement de terre, le marché a bruissé de rapports sporadiques de fournisseurs d’ordinateurs OEM acceptant des augmentations significatives des prix contractuels de la DRAM et de la mémoire Flash NAND en raison de considérations spécifiques, mais ces transactions étaient isolées.
Fin avril, après qu’un nouveau cycle de négociations des prix contractuels ait été achevé, les augmentations étaient plus importantes que prévu initialement. Cela a poussé TrendForce à réviser à la hausse les augmentations des prix contractuels pour le deuxième trimestre pour la DRAM et la mémoire Flash NAND, reflétant non seulement le désir des acheteurs de soutenir la valeur de leurs stocks, mais aussi les perspectives d’offre et de demande pour le marché de l’IA.
TrendForce rapporte que les fabricants sont préoccupés par les effets potentiels de l’augmentation de la production de mémoires HBM. Plus précisément, les produits HBM 3e de Samsung, qui utilisent le nœud de processus 1alpha, devraient utiliser environ 60 % des capacités de production d’ici la fin de 2024.
